![广东合微集成电路技术有限公司](http://img.czvv.com/logo/5086b2cb8f105eb67c21a4aa/5086b2cb8f105eb67c21a4aa.png)
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类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 广东合微集成电路技术有限公司 | http://www.hiwaysemi.com/ |
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序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106526232A | 一种复合传感器及其制造方法 | 2017.03.22 | 本发明提供了一种复合传感器,包括加速度传感器和压力传感器,所述复合传感器基于的晶圆包含器件层、中间的 |
2 | CN104296923B | 一种晶圆级传感器的测试方法 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种晶圆级传感器的测试方法,包括以下步骤:对所述传感器施加预设测试条件,所述预设测试条件 |
3 | CN104316087B | 一种电容式传感器的测量电路 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种电容式传感器的测量电路,包括时序和控制电路、Σ‑Δ转换器,所述Σ‑Δ转换器包括开关电 |
4 | CN105905866A | 一种复合传感器及制造方法 | 2016.08.31 | 本发明涉及传感器加工技术领域,尤其涉及复合传感器及制造方法,复合传感器,包括,硅衬底,硅衬底中的至少 |
5 | CN105783998A | 一种复合传感器 | 2016.07.20 | 本发明实施例公开了一种复合传感器,包括:至少一个加速度传感器;所述加速度传感器的顶部包括有保护盖板; |
6 | CN105679685A | 一种传感器模块及其制作方法 | 2016.06.15 | 本发明实施例公开了一种传感器模块及其制作方法,该方法包括:将传感器芯片以设定位置设置于基板上;在所述 |
7 | CN105609490A | 一种复合传感器模块的封装结构及其制造方法 | 2016.05.25 | 本发明公开一种复合传感器模块的封装结构,包括基板,所述基板上具有由若干分立器件围成的传感器芯片安装区 |
8 | CN104316087A | 一种电容式传感器的测量电路 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种电容式传感器的测量电路,包括时序和控制电路、Σ-Δ转换器,所述Σ-Δ转换器包括开关电 |
9 | CN103350983B | 一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法,所述制造方法包括:在单晶硅晶圆衬底上形 |
10 | CN104409428A | 一种集成传感器及其封装方法 | 2015.03.11 | 本发明涉及集成传感设备领域,公开了一种集成传感器,包括传感芯片和通过导线与传感芯片连接的控制电路芯片 |
11 | CN104362144A | 胎压监测系统的封装结构及其封装方法 | 2015.02.18 | 本发明公开了一种胎压监测系统的封装结构及其封装方法,属于集成电路封装技术领域,为解决现有装置体积大、 |
12 | CN104296923A | 一种晶圆级传感器的测试方法 | 2015.01.21 | 本发明公开了一种晶圆级传感器的测试方法,包括以下步骤:对所述传感器施加预设测试条件,所述预设测试条件 |
13 | CN103441745A | 晶体振荡器的封装结构及封装方法 | 2013.12.11 | 本发明公开一种晶体振荡器的封装结构,包括晶体以及集成电路裸片,所述晶体和所述集成电路裸片均固定安装在 |
14 | CN103368521A | 一种微机械谐振器 | 2013.10.23 | 本发明公开了一种微机械谐振器,包括谐振部分以及围绕谐振部分一个或一个以上的连接部分,其中,所述连接部 |
15 | CN103350983A | 一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法 | 2013.10.16 | 本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法,所述制造方法包括:在单晶硅晶圆衬底上形 |
16 | CN103354447A | 一种MEMS谐振器补偿系统 | 2013.10.16 | 本发明公开了一种MEMS谐振器补偿系统包含MEMS芯片,模数转换器,补偿模块,电荷泵和MEMS驱动电 |
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