广东合微集成电路技术有限公司
企业简介

广东合微集成电路技术有限公司 main business:生产和销售集成电路及相关产品、微机电时钟芯片、传感芯片及其器件;从事集成电路及相关产品、微机电时钟芯片、传感芯片、计算机软件研究和开发;从事计算机软件、电子产品的批发及进出口业务。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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广东合微集成电路技术有限公司的工商信息
  • 441900001368567
  • 9144190059898631X3
  • 在营(开业)企业
  • 有限责任公司(中外合资)
  • 2012年07月11日
  • 冯良
  • 4442.642200
  • 2012年07月11日 至 2065年07月09日
  • 广东省东莞市工商行政管理局
  • 2016年12月08日
  • 东莞松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑6幢办公501
  • 生产和销售集成电路及相关产品、微机电时钟芯片、传感芯片及其器件;从事集成电路及相关产品、微机电时钟芯片、传感芯片、计算机软件研究和开发;从事计算机软件、电子产品的批发及进出口业务。
广东合微集成电路技术有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 广东合微集成电路技术有限公司 http://www.hiwaysemi.com/
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广东合微集成电路技术有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106526232A 一种复合传感器及其制造方法 2017.03.22 本发明提供了一种复合传感器,包括加速度传感器和压力传感器,所述复合传感器基于的晶圆包含器件层、中间的
2 CN104296923B 一种晶圆级传感器的测试方法 2017.01.25 本发明公开了一种晶圆级传感器的测试方法,包括以下步骤:对所述传感器施加预设测试条件,所述预设测试条件
3 CN104316087B 一种电容式传感器的测量电路 2017.01.18 本发明公开了一种电容式传感器的测量电路,包括时序和控制电路、Σ‑Δ转换器,所述Σ‑Δ转换器包括开关电
4 CN105905866A 一种复合传感器及制造方法 2016.08.31 本发明涉及传感器加工技术领域,尤其涉及复合传感器及制造方法,复合传感器,包括,硅衬底,硅衬底中的至少
5 CN105783998A 一种复合传感器 2016.07.20 本发明实施例公开了一种复合传感器,包括:至少一个加速度传感器;所述加速度传感器的顶部包括有保护盖板;
6 CN105679685A 一种传感器模块及其制作方法 2016.06.15 本发明实施例公开了一种传感器模块及其制作方法,该方法包括:将传感器芯片以设定位置设置于基板上;在所述
7 CN105609490A 一种复合传感器模块的封装结构及其制造方法 2016.05.25 本发明公开一种复合传感器模块的封装结构,包括基板,所述基板上具有由若干分立器件围成的传感器芯片安装区
8 CN104316087A 一种电容式传感器的测量电路 2015.01.28 本发明公开了一种电容式传感器的测量电路,包括时序和控制电路、Σ-Δ转换器,所述Σ-Δ转换器包括开关电
9 CN103350983B 一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法 2015.07.15 本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法,所述制造方法包括:在单晶硅晶圆衬底上形
10 CN104409428A 一种集成传感器及其封装方法 2015.03.11 本发明涉及集成传感设备领域,公开了一种集成传感器,包括传感芯片和通过导线与传感芯片连接的控制电路芯片
11 CN104362144A 胎压监测系统的封装结构及其封装方法 2015.02.18 本发明公开了一种胎压监测系统的封装结构及其封装方法,属于集成电路封装技术领域,为解决现有装置体积大、
12 CN104296923A 一种晶圆级传感器的测试方法 2015.01.21 本发明公开了一种晶圆级传感器的测试方法,包括以下步骤:对所述传感器施加预设测试条件,所述预设测试条件
13 CN103441745A 晶体振荡器的封装结构及封装方法 2013.12.11 本发明公开一种晶体振荡器的封装结构,包括晶体以及集成电路裸片,所述晶体和所述集成电路裸片均固定安装在
14 CN103368521A 一种微机械谐振器 2013.10.23 本发明公开了一种微机械谐振器,包括谐振部分以及围绕谐振部分一个或一个以上的连接部分,其中,所述连接部
15 CN103350983A 一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法 2013.10.16 本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法,所述制造方法包括:在单晶硅晶圆衬底上形
16 CN103354447A 一种MEMS谐振器补偿系统 2013.10.16 本发明公开了一种MEMS谐振器补偿系统包含MEMS芯片,模数转换器,补偿模块,电荷泵和MEMS驱动电
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